原创 日媒惊叹：中国或有望成荷兰和日本后第三个独立制造光刻机的国家

另外像是芯片上用的复合材料，光刻胶，高纯度化学品也多数都是日本专利。

而彼时的日本，光刻胶巨头遍地开花，还占据了全球90%的市场份额，地位可以说是垄断性的，但短短3年过去，日本人改口了。

根据《日经亚洲》等媒体的观察，中国很有可能成为继荷兰和日本之后，全球第三个能自己造全套光刻机的国家，这个判断来自最近中国在光刻机关键技术上取得了不少实际进展。

荷兰ASML是全球光刻机的领头羊，在中国光刻技术还没发展起来的时候，中国这边也有荷兰光刻机的代工厂。2020年，中国为ASML组装的光刻机，出货量占了全球的20%，也就是说，荷兰在专心搞创新的时候，中国也一直在“工厂”里面扎根研究。

如今，上海微电子在浸没式光刻机领域不断攻关，还有一些初创公司在专用设备上也有突破，中国正在打造一条从成熟芯片到特色工艺的技术防线，在全球半导体产业链的变化中找到自己的新机会。

以前大家关注中国光刻机，总是拿它和荷兰ASML的高端极紫外设备去比较，觉得中国只有造出这种机器才算厉害，但这种单一的对比其实忽略了中国光刻机产业发展的真实情况。

事实上，中国的光刻机发展有多条路线，首先是传统的光刻机路线。中国去年曝光的氟化氩光刻机，193nm，套刻精度小于等于8nm，属于DUV范畴，传统光刻机路线是从i-line到KrF到干式ArF，到浸润式ArFi，再到EUV。上海微电子做出的是ArF光刻机，接下来是浸润式DUV，然后才到EUV，所以差距还很大。

而在2025年12月，上海芯上微装科技成功交付了AST6200型350纳米步进光刻机，这台设备虽然制程节点不是最先进，但它的技术参数正好满足了现在第三代半导体市场的需求，专门解决了行业里的实际问题，这也说明中国光刻机企业正在用更灵活、更实用的方式参与全球竞争。

数据显示这台光刻机的套刻精度，正面能做到80纳米，背面是500纳米，而且能兼容碳化硅、氮化镓等多种新型半导体材料，这对于5G基站、新能源汽车的电控系统、还有Micro LED显示屏等芯片制造来说完全够用，更关键的是这台设备国产化率高达83%，几乎所有核心零部件都是中国制造。

对于中国光刻机技术来说，最难的是EUV光刻机，但在EUV光刻机的光源技术上，哈工大与国仪超精密集团共建的11亿元产线已试运行，虽然与ASML的商用标准尚有差距，但已足够支撑原型机通过关键测试。

此外，中国在光刻机技术还在推进纳米压印与电子光束多条路线并行研发。纳米压印光刻技术路线。这方面技术过去一直是日本佳能领先，其最先进的纳米压印光刻设备线宽已达14nm，对应传统5nm制程。不过，这个纪录被中企打破。

今年，国内企业璞璘科技自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备已经交付给国内特色工艺客户产线使用，这台纳米压印设备，线宽＜10nm ，能够用于储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等领域，这台设备，已经是量产的设备，不是PPT了。

其次是电子束光刻技术路线。浙江大学研发团队推出我国首台国产商业电子束光刻机，命名为“羲之”， 精度0.6nm，线宽8nm，用电子束在芯片上刻写电路。

这个也不是PPT，而是有了成品机，并已经进入应用测试。

这些看似分散的技术突破，其实为中国半导体产业突围构建了“组合拳”，互相支撑形成了中国半导体产业突围的强大力量。

随着半导体制程接近物理极限，先进封装技术成为延续摩尔定律的重要路径。通过2.5D/3D堆叠、异构集成等方式，将两块甚至多块芯片通过封装一体化，能解决很多意想不到的问题。

而根据台湾资深芯片专家的表述是，中国在先进封装技术层面已经取得领先，中国突破EUV光刻机时机已经成熟，台积电芯片制造设备，力机电、联电所拥有的矽片制造、日月光所做的封装测试，这三个大类以及众多小类，中国门类已经齐全，产业链很多公司都已经做的不错，万事俱备，只欠东风。

成熟制程的芯片占了全球需求的70%，中国现在可以从低端走向高端，2025年中国半导体设备进口量依旧很高，但国产设备的替代速度也在加快，阿斯麦的报告显示，中国市场占了它销售额的42%，中国对进口设备还有依赖，但像SSA600这种国产设备已经能用在90纳米的生产线上。

虽然荷兰ASML自己也承认，想彻底“脱钩”很难，全球合作依然是主流，但地缘政治的压力让分离变得更加现实。

放在全球视角来看，中国正在努力构建光刻机全产业链，多年以前，南开大学致知书院院长刘亚东的一个采访中，他谈到国产光刻机与国外的差距还有20年，无论是28nm还是14nm，在制造过程中，我们大概是使用了80%左右的国外设备。

但现在从SSA600这种国产设备来看，国产化率高达83%。中国光刻机产业链所有的门类接近齐全，除了部分的软肋，比如日本掌控的核心材料——光刻胶领域（目前，A股有约20家光刻胶相关企业，在高端领域，南大光电、彤程新材、上海新阳等企业已取得显著进展。中国光刻胶国产率从2020年的15%升至2024年的32%，2025年有望突破40%），而且将来氮化镓的第二代芯片出来的话，整个原材料在中国手里面，趋势对中国更有利。

事实上，日媒的报道并不严谨，日本与荷兰并不能独立研发光刻机，它们都需要依赖美国的技术，光刻机这颗工业皇冠上的明珠，是人类史上从未有过的科技大工程，从未来趋势看，它有望在一国完成——或只有中国才有能力独立研发光刻机。